|
Система условных обозначений отечественных интегральных микросхем
Система условных обозначений современных типов интегральных микросхем установлена ОСТ 11 073.915-2000. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент - цифра, обозначающая группу интегральной микросхемы по конструктивно-технологическому исполнению:
-
1,5,6,7 - полупроводниковые микросхемы;
-
2,4,8 – гибридные микросхемы;
-
3 - прочие (пленочные, керамические и т.д.)
Второй элемент - две или три цифры (от 01 до 99 или от 001 до 999), указывающие на порядковый номер разработки данной серии микросхем.
Третий элемент - две буквы, обозначающие функциональную подгруппу и вид микросхемы.
А Формирователи:
-
АА - адресные;
-
АГ - импульсов прямоугольной формы;
-
АИ - временных интервалов (таймеры);
-
АН - напряжения;
-
АП - прочие;
-
АР - разрядные;
-
АТ - тока;
-
АФ - импульсов специальной формы.
Б Базовые кристаллы:
-
БА - аналоговые;
-
БК - комбинированные;
-
БП - прочие;
-
БЦ - цифровые.
В Схемы вычислительных устройств:
-
ВА - схемы сопряжения с магистралью;
-
ВБ - схемы синхронизации;
-
ВВ - схемы управления вводом - выводом;
-
ВГ - контроллеры;
-
ВЕ - однокристальные микро-ЭВМ;
-
ВК - комбинированные схемы;
-
ВМ - микропроцессоры, сопроцессоры;
-
ВН - схемы управления прерыванием;
-
ВП - прочие;
-
ВС - микропроцессорные секции;
-
ВТ - схемы управления памятью;
-
ВУ - схемы микропрограммного управления;
-
ВХ - микрокалькуляторы;
-
ВЦ - процессоры цифровой обработки сигналов;
-
ВЮ - контроллеры с аналоговыми входами и выходами;
-
ВЯ - процессоры цифровой обработки сигналов с аналоговыми входами и выходами.
Г Генераторы сигналов:
-
ГГ - прямоугольных сигналов;
-
ГЛ - линейно - изменяющихся сигналов;
-
ГМ - шума;
-
ГН - программируемые;
-
ГП - прочие;
-
ГС - гармонических сигналов;
-
ГФ - сигналов специальной формы.
Д Детекторы:
-
ДА - амплитудные;
-
ДИ - импульсные;
-
ДП - прочие;
-
ДС - частотные;
-
ДФ - фазовые.
Е Схемы источников вторичного питания:
-
ЕА – стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные однополярные асимметричные;
-
ЕВ - выпрямители;
-
ЕГ – стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые отрицательной полярности;
-
ЕД- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные симметричные;
-
ЕИ –стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные отрицательной полярности;
-
ЕК - стабилизаторы напряжения импульсные;
-
ЕЛ- стабилизаторы напряжения непрерывные фиксированные двухполярные асимметричные;
-
ЕН - стабилизаторы напряжения непрерывные;
-
ЕП – прочие;
-
ЕР- стабилизаторы напряжения непрерывные регулируемые положительной полярности;
-
ЕС - источники вторичного питания;
-
ЕТ - стабилизаторы тока;
-
ЕУ - устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения.
И Схемы цифровых устройств:
-
ИА - арифметико - логические устройства;
-
ИВ - шифраторы;
-
ИД - дешифраторы;
-
ИЕ - счетчики;
-
ИК - комбинированные;
-
ИЛ - полусумматоры;
-
ИМ - сумматоры;
-
ИН - приемники, передатчики, приемо-передатчики;
-
ИП - прочие;
-
ИР - регистры;
-
ИФ - функциональные расширители.
К Коммутаторы и ключи:
-
КН - напряжения;
-
КП - прочие;
-
КТ - тока.
Л Логические элементы:
-
ЛА - И-НЕ;
-
ЛБ - И-НЕ/ИЛИ-НЕ;
-
ЛД - расширители;
-
ЛЕ - ИЛИ-НЕ;
-
ЛИ - И;
-
ЛК - И-ИЛИ-НЕ/И-ИЛИ;
-
ЛЛ - ИЛИ;
-
ЛМ - ИЛИ-НЕ (ИЛИ);
-
ЛН - НЕ;
-
ЛП – прочие;
-
ЛР - И-ИЛИ-НЕ;
-
ЛС - И-ИЛИ.
М Модуляторы:
-
МА - амплитудные;
-
MИ - импульсные;
-
MП - прочие;
-
MС - частотные;
-
MФ - фазовые.
Н Наборы элементов:
-
НД - диодов;
-
НЕ - конденсаторов;
-
НК - комбинированные;
-
НП – прочие;
-
НР - резисторов;
-
НТ - транзисторов;
-
НФ – функциональные.
П Преобразователи:
-
ПА - цифро - аналоговые;
-
ПВ - аналого - цифровые;
-
ПД - длительности (импульсов);
-
ПК - делители частоты аналоговые;
-
ПЛ - синтезаторы частоты;
-
ПН - напряжения;
-
ПП – прочие;
-
ПР - код - код;
-
ПС - частоты;
-
ПУ - уровня (согласователи);
-
ПФ - функциональные;
-
ПЦ - делители частоты цифровые.
Р Запоминающие устройства:
-
РА - ассоциативные запоминающие устройства;
-
РВ - матрицы постоянных запоминающих устройств;
-
РГ - ОЗУ регистрового типа;
-
РД - Динамические ОЗУ
-
РЕ - ПЗУ масочные;
-
РК - ОЗУ многопортовые;
-
РМ - матрицы ОЗУ;
-
РН – Энергозависимые статические ЗУ с хранением информации при отключении питания;
-
РП - прочие
-
РУ - ОЗУ;
-
РР - ПЗУ с многократным электрическим перепрограммированием и параллельным вводом/выводом;
-
РС- ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования с последовательным вводом/выводом;
-
РТ - ПЗУ с возможностью однократного программирования;
-
РУ- Статические оперативные запоминающие устройства;
-
РФ - ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;
-
РЦ - запоминающие устройства на ЦМД.
С Схемы сравнения:
-
CА - компараторы напряжения;
-
CВ - временные;
-
СК - амплитудные;
-
CП - прочие;
-
CС - частотные;
-
СЦ - цифровые.
Т Триггеры:
-
ТВ - Универсальный (типа J-K);
-
ТД - динамические;
-
ТК – комбинированные (типов D-T, R-S-T и т.п.);
-
ТЛ - Шмита;
-
ТМ - с задержкой (типа D);
-
ТП - прочие;
-
ТР – с раздельным запуском (типа R-S);
-
ТТ – счетные (типа Т).
У Усилители:
-
УБ - инструментальные;
-
УВ - высокой частоты;
-
УГ - малошумящие;
-
УД - операционные;
-
УЕ - повторители;
-
УИ - импульсные;
-
УК - широкополосные;
-
УЛ - считывания и воспроизведения;
-
УМ - индикации;
-
УН - низкой частоты;
-
УП - прочие;
-
УР - промежуточной частоты;
-
УС - дифференциальные;
-
УТ - постоянного тока.
Ф Фильтры:
-
ФА - адаптивные цифровые;
-
ФБ - полосовые;
-
ФВ - верхних частот;
-
ФМ - программируемые;
-
ФН - нижних частот;
-
ФП - прочие;
-
ФР - режекторные;
-
ФУ - универсальные.
Х Многофункциональные устройства:
-
ХА - аналоговые;
-
ХБ- для радио, телевидения, магнитофонов, дисплеев;
-
ХВ- для автоэлектроники;
-
ХД- для коммуникационной аппаратуры;
-
ХИ - аналоговые матрицы;
-
ХК -комбинированные;
-
ХЛ - цифровые;
-
ХП – прочие;
-
ХР- для бытовых приборов;
-
ХС- программируемые логические микросхемы;
-
ХХ- силовой электроники.
Ц Фоточувствительные схемы с зарядовой связью:
-
ЦЛ - линейные;
-
ЦМ - матричные;
-
ЦП - прочие.
Ч Преобразователи физических величин и компоненты датчиков:
-
ЧВ - влажности;
-
ЧГ - газов;
-
ЧД - давления;
-
ЧИ - ионизирующих излучений;
-
ЧМ - механических перемещений;
-
ЧП - прочие;
-
ЧТ - температуры;
-
ЧЭ - электромагнитного поля.
Э Схемы задержки:
-
ЭМ - пассивные;
-
ЭП - прочие;
-
ЭР - активные.
Четвертый элемент - число, обозначающее порядковый номер разработки микросхемы определенного функционального назначения в конкретной серии. Одна или две цифры.
Следующий элемент в обозначении указывает на отличие микросхем одного типа по температурному диапазону или электрическим характеристикам (быстродействию, допуску на напряжение питания, значению выходных токов и т.п.). Одна буква русского алфавита от А до М, за исключением букв З и Й.
Шестой элемент - тип корпуса. Буква указывает на номер типа корпуса в соответствии с ГОСТ 17467-88.
-
П - корпус 1-го типа (SIP, ZIP, КТ 26/27/28);
-
Р - корпус 2-го типа (DIP);
-
С - корпус 3-го типа (CAN);
-
Т - корпус 4-го типа (SOP, QFP, QFJ, планарные);
-
У - корпус 5-го типа (микрокорпуса), ранее начинались с буквы «Н»;
-
Ф - корпус 6-го типа (PGA);
-
Н - бескорпусное исполнение.
Для бескорпусных микросхем (обозначаются буквой Н) цифра указывает на модификацию конструкторского исполнения. Если микросхема выпускается только в одной разновидности корпуса данного типа, то цифра может отсутствовать.
-
1 - с гибкими выводами;
-
2 - на полиамидном носителе с ленточными выводами;
-
3 - с жесткими выводами, только для ИС широкого применения;
-
4 - на общей пластине, неразделенные;
-
5 - на общей пластине, разделенные без потери ориентировки (например, наклеенные на пленку), только для ИС широкого применения.
|
А у нас
Первая в СССР полупроводниковая интегральная микросхема была разработана на основе планарной технологии, разработанной в начале 1960 года в НИИ-35 (затем переименованный в НИИ "Пульсар") коллективом, который в дальнейшем был переведён в НИИМЭ (сейчас Микрон). Создание первой отечественной кремниевой интегральной схемы было сконцентрировано на разработке и производстве с военной приёмкой серии интегральных кремниевых схем ТС-100. Образцы-прототипы и производственные образцы кремниевых интегральных схем для воспроизводства были получены из США. Работы проводились НИИ-35 и Фрязинским заводом по оборонному заказу для использования в автономном высотомере системы наведения баллистической ракеты. Разработка включала шесть типовых интегральных кремниевых планарных схем серии ТС-100 и с организацией опытного производства заняла в НИИ-35 три года (с 1962 по 1965 год). Ещё два года ушло на освоение заводского производства с военной приёмкой во Фрязино (1967 год).
|
|
Иностранные производители:
Отечественные производители:
|
|
|