Toshiba представила NAND-память с рекордным количеством TSV-слоев

Вслед за анонсом флэш-памяти BiCS с возросшей плотностью, компания Toshiba представила новое поколение памяти NAND с использованием межслойных соединений Through Silicon Via (TSV).

Новые микросхемы флэш-памяти стали первыми в мире, в которых насчитывается 16 расположенных вертикально кристаллов.

Строение 16-кристальных флэш-микросхем Toshiba с использованием TSVs-соединений

Представлено два прототипа микросхем NAND объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) с интерфейсом Toggle DDR. Их габариты равны 14 х 18 х 1,35 мм, высота микросхемы емкостью 256 ГБ выросла до 1,9 мм. По словам Toshiba, высокая скорость операций ввода/вывода в 1 Гбит/с сочетается с низковольтным потреблением: 1,8 В для ядер памяти и 1,2 В для схем ввода/вывода, обеспечивая 50-процентное снижение энергопотребления в сравнении с аналогами компании Toshiba.

Демонстрация разработки запланирована на 11 августа на конференции Flash Memory Summit 2015. О начале массового производства и о доступности образцов не сообщается.

Новинки должны найти применение в устройствах, где требуется высокое соотношение производительности и энергопотребления, включая корпоративные SSD.

Источник: Toshiba